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SEÚL, Corea del Sur, 11 de septiembre de 2025
– Tecnología clave que impulsa la alta eficiencia y la miniaturización para centros de datos de IA, robótica y otras aplicaciones – MPW GaN dedicado previsto para finales de octubre – Ampliación de la experiencia en BCD a semiconductores compuestos, incluidos GaN y SiC
SEÚL, Corea del Sur, 11 de septiembre de 2025 /PRNewswire/ — DB HiTek, una fundición especializada líder en 8 pulgadas, ha anunciado hoy que se encuentra en las últimas fases de desarrollo de su proceso E-Mode GaN HEMT (transistor de alta movilidad de electrones de nitruro de galio) de 650 V, una plataforma de semiconductores de potencia de última generación. La empresa también ofrecerá un programa MPW (oblea multiproyecto) GaN dedicado a finales de octubre.
En comparación con los dispositivos de potencia tradicionales basados en silicio, los semiconductores basados en GaN ofrecen un rendimiento superior en condiciones de funcionamiento de alto voltaje, alta frecuencia y alta temperatura, ofreciendo una eficiencia energética excepcional. En particular, el HEMT de GaN en modo E de 650 V destaca por su rendimiento de conmutación de alta velocidad y su robusta estabilidad operativa, lo que lo hace ideal para infraestructuras de carga de vehículos eléctricos, sistemas de conversión de energía en centros de datos de hiperescala y equipos avanzados de redes 5G.
En 2022, cuando el mercado de semiconductores compuestos aún estaba en sus inicios, DB HiTek identificó el GaN y el SiC como impulsores clave del crecimiento y, desde entonces, ha invertido significativamente en el desarrollo de procesos. Un portavoz de DB HiTek comentó: “DB HiTek ya es reconocido mundialmente por su liderazgo en tecnologías de semiconductores de potencia basados en silicio, incluyendo el desarrollo del primer proceso BCDMOS de 0,18 µm de la industria. Al incorporar las capacidades del proceso de GaN, esperamos mejorar la competitividad de la empresa con una amplia cartera tecnológica”.
Tras la finalización del proceso HEMT de GaN de 650 V, DB HiTek planea implementar un proceso de GaN de 200 V y un proceso de GaN de 650 V optimizado para la integración de CI (circuitos integrados) para finales de 2026. De cara al futuro, la empresa apunta a expandir su plataforma de GaN en un espectro de voltaje más amplio, alineado con las necesidades del mercado y los requisitos de los clientes.
Para apoyar estas iniciativas, DB HiTek está ampliando las instalaciones de sala limpia de Fab2, ubicadas en Chungcheongbuk-do, Corea del Sur. Se espera que la ampliación aumente la capacidad de aproximadamente 35.000 obleas de 8 pulgadas al mes, lo que permitirá la producción de procesos de GaN, BCDMOS y SiC. Una vez finalizada la ampliación, la capacidad mensual total de obleas de DB HiTek aumentará un 23%, de 154.000 a 190.000 obleas.
Mientras tanto, DB HiTek participará en la ICSCRM (Conferencia Internacional sobre Carburo de Silicio y Materiales Relacionados) 2025, programada del 15 al 18 de septiembre en BEXCO, Busan. En este foro global del sector, DB HiTek destacará los avances en el desarrollo de procesos de SiC, junto con sus tecnologías de GaN y BCDMOS, y se comunicará directamente con clientes y líderes del sector.
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